2分鐘前 莞城手機殼曝光顯影工廠信息推薦「利成感光」[利成感光38dbdb8]內容：顯影液去除并且清洗（rinse）：達到顯影時間后，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓顯影工藝是指用顯影液去除晶圓上部分光刻膠，形成三維的物理圖形
旋轉產生的離心力也對去除表面顆粒有很大的幫助。甩干（spin dry）：為了將表面的去離子水甩干，將硅片轉到高轉速蝕刻加工中曝光顯影是蝕刻工序前的一步重要的工序，曝光是將需要蝕刻的圖案通過光繪轉移到兩張一樣的菲林膠片上，曝光顯影是一種攝影技術，其過程包括兩個步驟：曝光和顯影。在曝光過程中，光線照射到感光材料上，使材料中的紋理或顏色發生變化。在顯影過程中，通過將已曝光的感光材料轉移到顯影劑中，然后在定影劑中處理，產生可見的圖像。
顯影：將曝光后的硅片浸泡在顯影液中，在此過程中，光刻膠會在掩膜中沒有被曝光的部分（即需要去除的圖案區域）中被消蝕，并暴露出硅片表面。曝光一般在曝光機內進行，目前的曝光機依據光源冷卻方式可分為風冷和水冷，曝光質量取決于除干膜致抗蝕劑、光源選擇、曝光時間、菲林膠片質量等因素。盡管對193i負膠的研發已經傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。
用負顯影工藝可以實現較窄的溝槽，負顯影工藝已經被廣泛用于20納米及以下技術節點的量產中 [1]。顯影液表面停留（puddle）：為了讓顯影液與光刻膠進行充分反應，用負顯影工藝可以實現較窄的溝槽，負顯影工藝已經被廣泛用于20納米及以下技術節點的量產中 [1]。所以的辦法是依據顯影的干膜光亮程度，圖像清晰度，圖案線條與底片相符，曝光設備參數和感光性能，確定適合的曝光時間。
